32μm 10G InGaAs फोटोडायोड TO46

 

 

• उच्च प्रतिक्रियाशीलता (0.7A/W से अधिक या उसके बराबर): कुशल सिग्नल रूपांतरण सुनिश्चित करता है, बड़े पैमाने पर ऑप्टिकल मॉड्यूल उत्पादन के लिए बिजली की खपत को कम करता है, ऊर्जा दक्षता पर ध्यान केंद्रित करने वाले थोक InGaAs फोटोडायोड TO46 खरीदारों के लिए आदर्श है।

• कम डार्क करंट (1nA @5V से कम या उसके बराबर): सिग्नल शोर को कम करता है, जो उच्च परिशुद्धता वाले दूरसंचार और सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है। यह लाभ बड़े पैमाने पर तैनाती के लिए विफलता दर को कम करता है।

• कम धारिता (0.25pF से कम या उसके बराबर): 10G SFP+ मॉड्यूल और डेटा सेंटर नेटवर्क की गति आवश्यकताओं को पूरा करते हुए, स्थिर 10G बैंडविड्थ प्रदर्शन सक्षम करता है।

• लेज़र वेल्डिंग और TO-पैकेज कर सकते हैं: यांत्रिक स्थिरता और थर्मल प्रतिरोध (-40 ~ 85 डिग्री ऑपरेटिंग तापमान) को बढ़ाता है, लंबी सेवा जीवन सुनिश्चित करता है (50,000 घंटे से अधिक या उसके बराबर) और थोक खरीद InGaAs फोटोडायोड ग्राहकों के लिए प्रतिस्थापन लागत को कम करता है।

• कम रिटर्न हानि (35dB से अधिक या उसके बराबर): सिग्नल प्रतिबिंब को कम करता है, सिस्टम अखंडता में सुधार करता है {{0}दूरसंचार बुनियादी ढांचा परियोजनाओं के लिए आवश्यक है।

 

 

• दूरसंचार नेटवर्क: SDH/SONET सिस्टम के साथ संगत, लंबे समय तक उच्च {{0}स्पीड सिग्नल रिसेप्शन का समर्थन करता है {{1}हॉल फाइबर ऑप्टिक लिंक {{2}उच्च के लिए बिल्कुल सही दूरसंचार खरीद के लिए विश्वसनीयता 32μm InGaAs फोटोडायोड।

• 10जी एसएफपी+ ऑप्टिकल मॉड्यूल: कम क्षमता (0.25pF से कम या उसके बराबर) के साथ ऑप्टिकल सिग्नल को विद्युत सिग्नल में परिवर्तित करने के लिए डेटा सेंटर ट्रांसीवर में उपयोग किया जाता है, जिससे न्यूनतम सिग्नल हानि सुनिश्चित होती है।

• फाइबर ऑप्टिक सेंसिंग: इसकी व्यापक ऑपरेटिंग तरंग दैर्ध्य (1100-1650nm) और कम डार्क करंट के कारण औद्योगिक सेंसिंग सिस्टम (उदाहरण के लिए, लेजर रेंजिंग, तापमान निगरानी) के लिए आदर्श।

• औद्योगिक स्वचालन: फैक्ट्री स्वचालन के लिए ऑप्टिकल संचार उपकरण में एकीकृत, जहां लंबे समय तक संचालन जीवन (लेजर वेल्डिंग के माध्यम से) थोक InGaAs फोटोडायोड TO46 खरीदारों के लिए रखरखाव लागत को कम करता है।

 

इकाइयाँ बेचना	एकल आइटम
एकल पैकेज आकार	20X15X5 सेमी (लचीली पैकेजिंग, अंतर्राष्ट्रीय परिवहन के लिए उपयुक्त)
एकल सकल भार	0.250 कि.ग्रा

मात्रा (टुकड़े)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
लीड समय (दिन)	14	20	30	बातचीत करने के लिए

हम आपकी विशिष्ट आवश्यकताओं से मेल खाने के लिए कस्टम InGaAs Photodiode ODM समाधान प्रदान करते हैं:

• अनुकूलन योग्य पैरामीटर: प्रकाश संवेदनशील क्षेत्र व्यास (32μm/50μm/75μm), पैकेज प्रकार (TO46/TO56), लीड लंबाई, और लेंस डिज़ाइन।

• विकास चक्र: 7-15 दिन (नमूना पहले; थोक उत्पादन नमूना अनुमोदन के बाद शुरू होता है)।

 

पैरामीटर	प्रतीक	न्यूनतम.	प्रकार	अधिकतम.	इकाई
संतृप्ति शक्ति	पी.एस.	3	-	-	डी बी एम
आगे प्रवाह	अगर	-	-	10	एमए
रिवर्सर वोल्टेज	वीआर	-	5	15	V
ऑपरेटिंग केस तापमान	शीर्ष	-40	-	85	डिग्री
भंडारण तापमान	Tstg	-40	-	85	डिग्री
लीड सोल्डरिंग (तापमान/समय)	-	-	260/10	-	डिग्री/सेकंड

 

पैरामीटर	प्रतीक	न्यूनतम.	प्रकार	अधिकतम.	इकाई	परीक्षण की स्थिति
संचालन तरंगदैर्घ्य	λ	1100	-	1650	एनएम
जवाबदेही	R	0.7	-	-	A/W	वी.आर
डार्क करेंट	पहचान	-	0.2	1	ना	वीआर=5वी
समाई	C	-	-	0.25	पीएफ	वीआर =5वी,एफ=1मेगाहर्ट्ज,केस खुला
बैंडविड्थ	बउ	10	-	-	गीगा	वीआर =5वी, 50 लोड लीड लंबाई के साथ =6मिमी, केस खुला
ऑप्टिकल रिटर्न लॉस	आर एल	35	-	-	डीबी	λ=1310एनएम

 

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