XGSPON बोसा

पैरामीटर

प्रतीक

मिन

प्रकार

अधिकतम

इकाई

डायरेक्ट फॉरवर्ड करंट करंट (एलडी)

यदि(एलडी)

-

-

120

एमए

रिवर्स वोल्टेज (एलडी)

वीआर(एलडी)

-

-

2

V

फॉरवर्ड करंट (एमपीडी)

यदि(पीडी)

-

-

2

एमए

रिवर्सर वोल्टेज (एमपीडी)

वीआर(पीडी)

-

-

20

V

एपीडी आपूर्ति वोल्टेज

वी(पीडी)

-

-

Vbr

V

टीआईए आपूर्ति वोल्टेज

वी.सी.सी

-0.5

-

3.8

V

एपीडी रिवर्सर वोल्टेज

आईआर

-

-

2

एमए

ऑपरेटिंग केस तापमान

टॉपर

-10

-

+85

डिग्री

भंडारण तापमान

Tstg

-40

-

+85

डिग्री

वेल्डिंग तापमान

टीएसटीडी

-

260/10

-

डिग्री/एस

पैरामीटर

प्रतीक

मिन

प्रकार

अधिकतम

इकाई

परीक्षण की स्थिति

केंद्र तरंगदैर्घ्य

λc

1260

1270

1280

एनएम

CW, यदि=Ith+20mA, Tc=-10~85 डिग्री

दहलीज धारा

इथ

-

9

15

एमए

सीडब्ल्यू, टी=25 डिग्री

-

-

40

एमए

सीडब्ल्यू, टी=85 डिग्री

फॉरवर्ड वोल्टेज

वोप

-

1.2

1.7

V

सीडब्ल्यू, टीसी=-10~85 डिग्री

ऑप्टिकल आउटपुट पावर

पीएफ

2.7

-

5.0

मेगावाट

CW, यदि=Ith+20mA, T=25 डिग्री

1.4

-

5.0

CW, यदि=Ith+20mA, Tc=-10~85 डिग्री

ढलान दक्षता

से

0.135

-

0.25

W/A

CW, यदि=Ith+20mA, T=25 डिग्री

0.08

-

0.25

CW, यदि=Ith+20mA, Tc=-10~85 डिग्री

वर्तमान की निगरानी करें

मैं हूँ

100

-

1200

यूए

CW, Pf=6.5dBm,Tc=-10~85 डिग्री

एमपीडी कैपेसिटेंस

सीपीडी

-

-

20

पीएफ

वीआरपी=5वी,एफ=1मेगाहर्ट्ज

एमपीडी डार्क करंट

पहचान

-

-

100

ना

वीआरपी=5वी, टी=25 डिग्री

उत्थान/पतन का समय

टीआर/टीएफ

-

-

0.05

एन एस

आईबी=इथ, 20% से 80%

स्पेक्ट्रल
चौड़ाई(RMS-20dB)

△λ

-

-

1.0

एनएम

सीडब्ल्यू, यदि=मैंथ+20एमए

ट्रैकिंग त्रुटि

ते

-1.5

-

1.5

डीबी

सीडब्ल्यू, टीसी=-10~85 डिग्री

साइड मोड दमन
राशन

एसएमएसआर

30

40

-

डीबी

सीडब्ल्यू, यदि= Ith+20mA

पावर किंक

पीएफ किंक

-

-

50

%

सीडब्ल्यू, पीओ=4~9डीबीएम,टीसी=-10~85 डिग्री

मैं किंक हूं

मैं उलझन में हूँ

-

-

50

%

सीडब्ल्यू, पीओ=4~9डीबीएम,टीसी=-10~85 डिग्री

पैरामीटर

प्रतीक

मिन

प्रकार

अधिकतम

इकाई

परीक्षण की स्थिति

संचालन तरंगदैर्घ्य

λ

1575

1577

1580

एनएम

टीआईए आपूर्ति वोल्टेज

V_सीसी

3.0

3.3

3.6

V

आपूर्ति वर्तमान

I_सीसी

23

-

40

एमए

कोई भार नहीं

एपीडी ब्रेकडाउन वोल्टेज

Vbr

27

-

53

V

आईडी=10uA,T=25 डिग्री

वीबीआर की तापमान निर्भरता

0.015

0.027

0.035

वी/डिग्री

आईडी=10uA,Tc=-10~85 डिग्री

डार्क करेंट

पहचान

-

-

100

ना

V_{तृतीय}=वीबीआर-2वी

संवेदनशीलता

सेन

-

-

-29.5

डी बी एम

λ=1577एनएम,बीईआर10 -3 ,एनआरजेड,
9.953 जीबीपीएस, ईआर> 7 डीबी,
पीआरबीएस=2 31 -1@Vbr-3V
टीसी=-10~85 डिग्री

संतृप्ति शक्ति

पी.एस.

-8

-

-

डी बी एम

λ=1577एनएम,बीईआर10 -3 ,एनआरजेड,
9.953जीबीपीएस,ईआर=6डीबी,
पीआरबीएस=2 31 -1@Vbr-3V

पैरामीटर

प्रतीक

मिन

प्रकार

अधिकतम

इकाई

परीक्षण की स्थिति

से ऑप्टिकल अलगाव

बाहरी स्रोत

आईएसओ(1577)

30

-

-

डीबी

λ=1550nm-1560nm
λ=1596nm-1600nm

35

-

-

डीबी

λ=1260nm-1550nm
λ=1600nm-1675nm

वापसी हानि(1490एनएम)

आर एल₁₅₇₇

20

-

-

डीबी

λ=1577एनएम

वापसी हानि(1310nm)

आर एल₁₂₇₀

10

-

-

डीबी

λ=1270एनएम

ऑप्टिकल क्रॉसस्टॉक

सीटी

-

-

-40

डीबी

T1270R1577